您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

MSC035SMA070S

Name: Microchip MSC035SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA070S
Price: 65.07 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

494-MSC035SMA070S

制造商编号：

MSC035SMA070S

制造商：

Microchip Technology

说明：

碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268

在开发工具选择器中查看

数据表:

MSC035SMA070S 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Microchip Technology MSC035SMA070S详情

库存量: 96

库存：: 96 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 14 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于96的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥73.5291	¥73.53

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D3PAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
Id-连续漏极电流:	65 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.9 V
Qg-栅极电荷:	99 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	206 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Microchip Technology
配置:	Single
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC
单位重量:	6.200 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MSC035SMA070S 数据表 (PDF)

DTS

在开发工具选择器中查看

PCN

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm² 至15J/cm² 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。