MSC050SDA120B

Microchip Technology
494-MSC050SDA120B
MSC050SDA120B

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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库存量: 52

库存：
52
可立即发货
在途量:
120
预期 2026/4/13
生产周期：
7
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥139.9505 ¥139.95
¥129.0347 ¥3,871.04
¥112.3333 ¥13,480.00

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
1.2 kV
1.5 V
290 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
MSC0
Tube
商标: Microchip Technology
Pd-功率耗散: 429 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
单位重量: 12 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm2 至15J/cm2 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。

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