MSC050SDA120BCT

Microchip Technology
494-MSC050SDA120BCT
MSC050SDA120BCT

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Dual
109 A
1.2 kV
1.5 V
290 A
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: Microchip Technology
Pd-功率耗散: 429 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能,优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比,碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷,可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关,可确保稳定的高温性能。

库存量: 76

库存:
76 可立即发货
生产周期:
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥271.3921 ¥271.39