MSC080SMA120J

Microchip Technology
494-MSC080SMA120J
MSC080SMA120J

制造商：

说明：
MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥238.2266 ¥238.23
¥210.18 ¥2,101.80
¥205.8747 ¥6,176.24
¥179.5796 ¥17,957.96
1,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
100 mOhms
- 10 V, + 25 V
- 55 C
+ 175 C
200 W
Tube
商标: Microchip Technology
配置: Single
产品类型: MOSFET Modules
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
类型: Power MOSFET
单位重量: 47.178 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm2 至15J/cm2 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。

碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

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