MSCSM120XM50CTYZBNMG

Name: Microchip MSCSM120XM50CTYZBNMG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120XM50CTYZBNMG
Price: 5365.41 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

579-M120XM50CTYZBNMG

制造商编号：

MSCSM120XM50CTYZBNMG

制造商：

Microchip Technology

说明：

分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

数据表:

MSCSM120XM50CTYZBNMG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	MOSFET-SiC SBD Modules
类型:	3-Phase Bridge
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 23 V
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
商标:	Microchip Technology
下降时间:	25 ns
Id-连续漏极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	315 W
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	50 mOhms
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V