MT46V64M8P-5B:J

340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

制造商：

说明：
动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

寿命周期:
与工厂核实状态:
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数据表:
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供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
Micron Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 1080
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 85 mA
单位重量: 9.140 g
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已选择的属性: 0 

                        
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数据表

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合规代码
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是一项革命性和开创性技术，支持应用在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据。这样，与SDR SDRAM相比，带宽提高了一倍，性能也得到改善。为实现此功能，Micron使用2n预取架构，其内部数据总线大小是外部数据总线的两倍，因此每个时钟周期可进行两次数据捕获。

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