A5G08H800W19NR3

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Mouser编号：

771-A5G08H800W19NR3

制造商编号：

A5G08H800W19NR3

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V

寿命周期:

停产

数据表:

A5G08H800W19NR3 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	OM-780-4S4S-8
Vds-漏源极击穿电压:	125 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
最大工作频率:	960 MHz
最小工作频率:	865 MHz
技术:	GaN-on-Si
商标:	NXP Semiconductors
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	112 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
零件号别名:	935450755528

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管

NXP Semiconductors A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管是一款85W和112W非对称Doherty射频功率GaN晶体管。 NXP Semiconductors A5Gx晶体管非常适合用于需要宽带宽的蜂窝基站应用。该器件的性能在每个部件的指定频率范围内均得到保证，但在指定范围之外则不予保证。

A5G08H800W19NR3

制造商： NXP Semiconductors

说明： GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V

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NXP Semiconductors

说明：

GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V