中国
AFT09MS007NT1
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841-AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
合规代码
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 美国
- 组装原产国/地区:
- 马来西亚
- 扩散国家:
- 美国
供货情况
-
库存：
-
0
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生产周期：
-
53 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。