AFV121KHSR5

NXP Semiconductors
841-AFV121KHSR5
AFV121KHSR5

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

寿命周期:
停产
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
发货限制:
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RoHS:  
N-Channel
Si
112 V
960 MHz to 1.215 GHz
16.9 dB
1.23 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230S-4S
Reel
Cut Tape
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: AFV121K
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V
零件号别名: 935320778178
单位重量: 8.518 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
马来西亚
发货时,国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存: