MMRF1014NT1
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841-MMRF1014NT1
MMRF1014NT1
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
库存量: 784
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库存：
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生产周期：
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16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| ¥191.1621 | ¥191.16 | |
| ¥152.3579 | ¥1,523.58 | |
| ¥142.6851 | ¥3,567.13 | |
| ¥132.097 | ¥13,209.70 | |
| ¥126.9668 | ¥31,741.70 | |
| ¥123.9045 | ¥61,952.25 | |
| 整卷卷轴（请按1000的倍数订购） | ||
| ¥121.0117 | ¥121,011.70 | |
| 4,000 | 报价 | |
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
