MRF1K50N
未分配
MRF1K50N
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
合规代码
- USHTS:
- 8541290075
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
中国
