PCDD08120G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD08120G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD08120G1L2001
Price: 42.31 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-PCDD08120G1L2001

制造商编号：

PCDD08120G1_L2_00001

制造商：

Panjit

说明：

碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode

数据表:

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥47.8103	¥47.81
	¥32.0129	¥320.13
	¥28.3743	¥2,837.43
	¥27.459	¥27,459.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥26.6341	¥79,902.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252AA-3
配置:	Single
If - 正向电流:	8 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.2 kV
Vf - 正向电压:	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	560 A
Ir - 反向电流 :	6 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	SiC Gen.1
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Panjit
Pd-功率耗散:	156.3 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	3000
子类别:	Diodes & Rectifiers
单位重量:	321.700 mg

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ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.