PCDD08120G1_L2_00001
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241-PCDD08120G1L2001
PCDD08120G1_L2_00001
制造商:
说明:
碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
碳化硅肖特基二极管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表
PCN
Product Catalogs
合规代码
- CNHTS:
- 8541100000
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 中国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
