PCDD1065G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD1065G1L20001
PCDD1065G1_L2_00001

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 650V SiC Schottky Barrier Diode

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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库存量: 2,983

库存:
2,983 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于2983的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥34.6571 ¥34.66
¥22.7469 ¥227.47
¥15.9669 ¥1,596.69
¥15.5488 ¥7,774.40
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥15.5488 ¥46,646.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Panjit
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
10 A
650 V
1.5 V
550 A
7 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Panjit
Pd-功率耗散: 99.3 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 3000
子类别: Diodes & Rectifiers
单位重量: 321.700 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.