QPD0020

Qorvo
772-QPD0020
QPD0020

制造商：

说明：
射频(RF)双极晶体管 DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS:  
QPD0020
GaN Si
2.6 GHz to 2.69 GHz
Single
SMD/SMT
QFN-20
Reel
Cut Tape
商标: Qorvo
湿度敏感性: Yes
输出功率: 34.7 W
Pd-功率耗散: 29 dBm
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: RF Transistors
零件号别名: QPD0020SR
单位重量: 1.430 g
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

QPD0020 GaN射频晶体管

Qorvo QPD0020 GaN RF功率晶体管是出色的35W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，在+48V电源轨上工作，频率范围为直流至6GHz。该器件适合用于基站、雷达和通信应用。该晶体管支持连续波和脉冲工作模式。QPD0020可用于Doherty架构中，用于小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后一级。QPD0020还可用作宏单元基站功率放大器的驱动器。

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