R6008FNX

ROHM Semiconductor
755-R6008FNX
R6008FNX

制造商：

说明：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
950 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
20 nC
+ 150 C
50 W
Enhancement
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Models

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 482

库存：
482 可立即发货
生产周期：
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于482的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥47.9798 ¥47.98
¥31.4366 ¥314.37
¥23.4927 ¥2,349.27
500 报价

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