R6012FNX

755-R6012FNX
R6012FNX

制造商：

说明：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
510 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 3.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 37 ns
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 77 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Models

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：
不可用

定价 (含13% 增值税)

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