RD3N06BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N06BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N06BATTL1
Price: 23.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RD3N06BATTL1

制造商编号：

RD3N06BATTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	110 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	101 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	170 ns
正向跨导 - 最小值:	23 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	46 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	265 ns
典型接通延迟时间:	27 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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