RGEX5TS65DGC13

Name: ROHM Semiconductor RGEX5TS65DGC13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGEX5TS65DGC13
Price: 70.49 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RGEX5TS65DGC13

制造商编号：

RGEX5TS65DGC13

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

RGEX5TS65DGC13 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247GE-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	102 A
Pd-功率耗散:	306 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic:	75 A
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors

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EOL

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGE场截止沟道IGBT

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