RGS30TSX2DHRC11

ROHM Semiconductor
755-RGS30TSX2DHRC11
RGS30TSX2DHRC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 15A TRNCH

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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥65.2575 ¥65.26
¥38.2957 ¥382.96
¥34.4876 ¥3,448.76
¥34.4085 ¥92,902.95

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
30 A
267 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 500 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGS30TSX2DHR
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已选择的属性: 0 

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

数据表

PCN

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场终止沟槽型IGBT是10µs SCSOA（短路安全工作区）保证绝缘栅极双极晶体管，适合用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR具有低导通损耗，有助于减小尺寸，提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat))，同时降低开关损耗。这些IGBT可在各种高压和大电流应用中进一步节能。

RGS场终止沟槽型车用IGBT

ROHM Semiconductor RGS场终止沟槽汽车用IGBT是符合AEC-Q101标准的汽车用IGBT，有1200V和650V型号可供选择。这些IGBT具有同类领先的低导通损耗，可减小尺寸并提高应用的效率。RGS IGBT采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极－发射极饱和电压 (V CE(sat)) 并降低开关损耗。ROHM Semiconductor RGS IGBT可为各种高电压和大电流应用提供更高的节能效果。

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