RQ6P020ATTCR

ROHM Semiconductor
755-RQ6P020ATTCR
RQ6P020ATTCR

制造商：

说明：
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

数据表:
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库存量: 4,215

库存：
4,215 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥7.5258 ¥7.53
¥5.3562 ¥53.56
¥3.5934 ¥359.34
¥2.7685 ¥1,384.25
¥2.5199 ¥2,519.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.1696 ¥6,508.80
¥2.0001 ¥12,000.60
¥1.8645 ¥16,780.50
¥1.8419 ¥44,205.60

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-457T-6
P-Channel
1 Channel
100 V
2 A
220 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 3.4 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 83 ns
典型接通延迟时间: 8.9 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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