71V416L12PHGI

Renesas Electronics
972-71V416L12PHGI
71V416L12PHGI

制造商:

说明:
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

ECAD模型:
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库存量: 501

库存:
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生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥95.2025 ¥95.20
¥88.3434 ¥883.43
¥85.5297 ¥2,138.24
¥84.2076 ¥4,210.38
¥83.0437 ¥8,304.37
¥80.3995 ¥21,707.87
¥74.3653 ¥40,157.26

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
Parallel
3.6 V
3 V
170 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSOP-44
Tray
商标: Renesas Electronics
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: 71V416L12
工厂包装数量: 135
子类别: Memory & Data Storage
类型: Asynchronous
零件号别名: IDT71V416L12PHGI 71V416
单位重量: 3 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a

异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计技术为高速异步SRAM存储器需求提供了经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。Renesas提供异步SRAM,采用符合RoHS 6/6标准的(绿色)封装,采用行业标准的封装选项。