KTDM2G3C818BGIEAT

Name: SMART KTDM2G3C818BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M2G3C818BGIEAT
Price: 78.84 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

473-M2G3C818BGIEAT

制造商编号：

KTDM2G3C818BGIEAT

制造商：

SMARTsemi

说明：

动态随机存取存储器动态随机存取存储器 DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial

数据表:

KTDM2G3C818BGIEAT 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解SMARTsemi KTDM2G3C818BGIEAT详情

库存量: 205

库存：: 205 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥89.0892	¥89.09
	¥86.2755	¥862.76
	¥73.6986	¥15,476.71
	¥71.8793	¥30,189.31
	¥71.303	¥74,868.15

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SMART
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR3L
存储容量:	2 Gbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	933 MHz
封装 / 箱体:	FBGA-78
组织:	256 M x 8
电源电压-最小:	1.283 V
电源电压-最大:	1.575 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封装:	Tray
商标:	SMARTsemi
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	210
子类别:	Memory & Data Storage

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

KTDM2G3C818BGIEAT 数据表 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.