2SD2012

STMicroelectronics
511-2SD2012
2SD2012

制造商:

说明:
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silcon Pwr Trans

寿命周期:
停产
ECAD模型:
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供货情况

库存:

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
发货限制:
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220F-3
NPN
Single
3 A
60 V
60 V
7 V
400 mV
25 W
3 MHz
- 65 C
+ 150 C
2SD2012
Tube
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 20
直流电流增益 hFE 最大值: 320
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 3.610 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。