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L6386ED

Name: STMicroelectronics L6386ED
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-L6386ED
Price: 22.84 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-L6386ED

制造商编号：

L6386ED

制造商：

STMicroelectronics

说明：

栅极驱动器 Hi-Vltg and Lo Side Driver

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数据表:

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库存量: 253

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在途量:: 1,000

预期 2026/8/10
生产周期：: 30

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥25.8092	¥25.81
	¥19.2778	¥192.78
	¥16.6223	¥415.56
	¥15.7974	¥1,579.74
	¥14.9725	¥3,743.13
	¥14.2267	¥7,113.35
	¥14.0572	¥14,057.20

备用包装

制造商零件编号:

L6386ED013TR

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥12.2379

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Half-Bridge Drivers
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	650 mA
电源电压-最小:	- 300 mV
电源电压-最大:	17 V
上升时间:	50 ns
下降时间:	30 ns
最小工作温度:	- 45 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	L6386E
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
逻辑类型:	CMOS, TTL
湿度敏感性:	Yes
Pd-功率耗散:	750 mW
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
单位重量:	605 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542390990
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 摩洛哥
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MOSFET和IGBT栅极驱动器

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器，该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压（高达1500V）应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC，以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此，它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些L638xE和L639x器件是采用BCD™“离线”技术制造的高压器件。这些高压栅极驱动器设计用于在高侧（浮动）部分承受高达600V的电压轨。L638xE和L639x栅极驱动器的逻辑输入与CMOS或TTL兼容，可轻松连接控制器件。L638xE栅极驱动器采用DIP-8、SO-8、DIP-14以及SO-14管封装。L639x栅极驱动器采用SO-8、SO-14管以及SO-16管封装。
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