L6386ED

STMicroelectronics
511-L6386ED
L6386ED

制造商：

说明：
栅极驱动器 Hi-Vltg and Lo Side Driver
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STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
650 mA
- 300 mV
17 V
50 ns
30 ns
- 45 C
+ 125 C
L6386E
Tube
商标: STMicroelectronics
逻辑类型: CMOS, TTL
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 750 mW
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 605 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
摩洛哥
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MOSFET和IGBT栅极驱动器

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器，该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压（高达1500V）应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC，以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此，它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器

STMicroelectronics L638xE和L639x栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些L638xE和L639x器件是采用BCD™“离线”技术制造的高压器件。这些高压栅极驱动器设计用于在高侧（浮动）部分承受高达600V的电压轨。L638xE和L639x栅极驱动器的逻辑输入与CMOS或TTL兼容，可轻松连接控制器件。L638xE栅极驱动器采用DIP-8、SO-8、DIP-14以及SO-14管封装。L639x栅极驱动器采用SO-8、SO-14管以及SO-16管封装。
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电机驱动器

STMicroelectronics电机驱动器是各种适用于有刷直流电机、步进电机和无刷直流电机的电机驱动器。该驱动器具有各种额定电压和额定电流。STSPIN电机驱动器嵌入高效驱动电机需要的所有功能。这些电机驱动器可实现高精度驱动，设有一个运动轮廓发生器。

库存量: 1,773

库存：
1,773 可立即发货
生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥25.5606 ¥25.56
¥19.1874 ¥191.87
¥16.6223 ¥415.56
¥15.7974 ¥1,579.74
¥14.9725 ¥3,743.13
¥14.4753 ¥7,237.65
¥13.3227 ¥13,322.70
¥12.8255 ¥25,651.00
¥12.5769 ¥62,884.50

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