L6494LD

STMicroelectronics
511-L6494LD
L6494LD

制造商：

说明：
栅极驱动器 High voltage high and low-side 2 A gate driver
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STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-14
2 Driver
2 Output
2 A
10 V
20 V
25 ns
25 ns
- 40 C
+ 125 C
L6494
Tube
商标: STMicroelectronics
最大关闭延迟时间: 120 ns
最大开启延迟时间: 120 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 490 uA
输出电压: 600 V
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 175 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 1000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 130 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
新加坡
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MOSFET和IGBT栅极驱动器

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器，该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压（高达1500V）应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC，以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此，它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。

L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

STMicroelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧（浮动）截面设计承受高达500V的直流电压轨，具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL，低至3.3V，可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。

电机驱动器

STMicroelectronics电机驱动器是各种适用于有刷直流电机、步进电机和无刷直流电机的电机驱动器。该驱动器具有各种额定电压和额定电流。STSPIN电机驱动器嵌入高效驱动电机需要的所有功能。这些电机驱动器可实现高精度驱动，设有一个运动轮廓发生器。

库存量: 1,566

库存：
1,566 可立即发货
生产周期：
36 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥17.4585 ¥17.46
¥12.9046 ¥129.05
¥11.1644 ¥279.11
¥10.4186 ¥1,041.86
¥9.8423 ¥2,460.58
¥9.5146 ¥4,757.30
¥9.0965 ¥9,096.50
¥8.7688 ¥17,537.60
¥8.4411 ¥42,205.50

备用包装

制造商零件编号:
L6494LDTR
包装:
Reel, Cut Tape
供货情况:
库存量
单价:
¥18.7806
最小:
1

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