MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

制造商：

说明：
栅极驱动器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥66.9977 ¥67.00
¥51.6184 ¥516.18
¥47.8103 ¥1,195.26
¥43.5954 ¥4,359.54
¥40.3636 ¥10,090.90
¥39.1206 ¥39,120.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥37.2222 ¥111,666.60

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
最大关闭延迟时间: 45 ns
最大开启延迟时间: 45 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 10 A
Pd-功率耗散: 40 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 70 ns
Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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