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STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

STM MASTERGAN驱动器在下、上驱动部分均提供UVLO保护。该保护功能可防止电源开关在低效率或危险条件下工作，联锁功能可避免交叉传导情况。输入引脚具有扩展电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。

MASTERGAN驱动器在-40°C至125°C工业温度范围内工作，采用紧凑型9mm x 9mm QFN封装。

特性

  • 电源系统级封装，集成半桥栅极驱动器和高压GaN晶体管：
    • BVDSS = 650V
    • RDS(ON) = 150mΩ
    • IDS(MAX) = 10A
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 低侧和高侧UVLO保护
  • 内置自举二极管
  • 联锁功能
  • 专用引脚，用于关断功能
  • 精确的内部时序匹配
  • 3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
  • 过温保护
  • 材料清单减少
  • 超紧凑、简化的布局
  • 灵活、简单、快速的设计

应用

  • 开关模式电源
  • 高压PFC、DC-DC和DC-AC转换器
  • 充电器和适配器
  • 不间断电源 (UPS) 系统
  • 太阳能发电

内容中心

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

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框图 - STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

开发工具

STMicroelectronics EVL250WMG1L演示板

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基于MASTERGAN3高压驱动器的半桥参考设计，集成了GaN eHEMT。

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基于MASTERGAN5高压驱动器的半桥参考设计，集成了GaN eHEMT。

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STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块

配有MASTERGAN1L，其可快速创建拓扑结构，无需完整的PCB设计。

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配有MASTERGAN4L，其可快速创建拓扑结构，无需完整的PCB设计。

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物料编号 数据表 描述
MASTERGAN6TR MASTERGAN6TR 数据表 栅极驱动器 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
MASTERGAN2TR MASTERGAN2TR 数据表 栅极驱动器 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN3TR MASTERGAN3TR 数据表 栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN1LTR MASTERGAN1LTR 数据表 栅极驱动器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
MASTERGAN4LTR MASTERGAN4LTR 数据表 栅极驱动器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
MASTERGAN1 MASTERGAN1 数据表 栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN4 MASTERGAN4 数据表 栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN2 MASTERGAN2 数据表 栅极驱动器 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN7TR MASTERGAN7TR 数据表 栅极驱动器 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
MASTERGAN5 MASTERGAN5 数据表 栅极驱动器 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
发布日期: 2020-08-28 | 更新日期: 2026-06-24