MASTERGAN2

STMicroelectronics
511-MASTERGAN2
MASTERGAN2

制造商：

说明：
栅极驱动器 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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库存量: 172

库存：
172 可立即发货
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26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥106.785 ¥106.79
¥85.1116 ¥851.12
¥79.9814 ¥1,999.54
¥73.6195 ¥7,361.95
¥48.8838 ¥12,220.95
¥45.5729 ¥22,786.45
¥45.4938 ¥45,493.80
2,500 报价

备用包装

制造商零件编号:
MASTERGAN2TR
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥55.5847
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
10 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
商标: STMicroelectronics
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TH
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 1560
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 150 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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