MASTERGAN3TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN3TR
MASTERGAN3TR

制造商:

说明:
栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD模型:
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库存量: 461

库存:
461 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于461的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥42.2733 ¥42.27
¥35.9001 ¥359.00
¥34.3294 ¥858.24
¥32.7587 ¥3,275.87
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥27.1313 ¥81,393.90
6,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A, 6.5 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。