MASTERGAN5

STMicroelectronics
511-MASTERGAN5
MASTERGAN5

制造商:

说明:
栅极驱动器 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power

ECAD模型:
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库存量: 207

库存:
207 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于207的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥59.7996 ¥59.80
¥46.1605 ¥461.61
¥42.7592 ¥1,068.98
¥38.5443 ¥3,854.43
¥36.725 ¥9,181.25
¥34.0808 ¥17,040.40
¥29.8659 ¥29,865.90
¥28.9506 ¥72,376.50
4,680 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 1560
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。