SCT055TO65G3

STMicroelectronics
511-SCT055TO65G3
SCT055TO65G3

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
72 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 13.6 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 1800
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 19.4 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

库存量: 1,414

库存：
1,414 可立即发货
生产周期：
36 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥75.6874 ¥75.69
¥51.6975 ¥516.98
¥42.6801 ¥4,268.01
¥38.7929 ¥19,396.45
¥35.482 ¥35,482.00
整卷卷轴（请按1800的倍数订购）
¥35.482 ¥63,867.60

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