SCT070H120G3-7

STMicroelectronics
511-SCT070H120G3-7
SCT070H120G3-7

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
发货限制:
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RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
30 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
223 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9.9 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 26.6 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 17.6 ns
典型接通延迟时间: 18.7 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存: