SCTL90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL90N65G2V
Price: 228.24 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SCTL90N65G2V

制造商编号：

SCTL90N65G2V

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥257.9112	¥257.91
	¥188.8456	¥1,888.46
	¥184.4612	¥18,446.12
	¥184.2917	¥92,145.85
	¥156.8327	¥156,832.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥150.7081	¥452,124.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	157 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	935 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	16 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	38 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	26 ns
单位重量:	180 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。