SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics
511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
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STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
发货限制：
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RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
119 A
24 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
565 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 16 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 6.080 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
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