SGT120R65AL

STMicroelectronics
511-SGT120R65AL
SGT120R65AL

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
完成您的设计

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
120 mOhms
- 10 V, + 6 V
2.6 V
3 nC
- 55 C
+ 155 C
192 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9.7 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: E-Mode
典型关闭延迟时间: 8.9 ns
典型接通延迟时间: 4.1 ns
单位重量: 76 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Models

SPICE Models

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SGT120R65AL 650 V E-Mode PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT120R65AL 650 V E-Mode PowerGaN晶体管具有  15 A最大电流能力，结合成熟的封装技术和开尔文源极连接，可实现最佳栅极驱动。由此产生的G-HEMT器件具有极低的导通损耗、大电流能力和超快开关操作，可实现高功率密度和出色的效率。SGT120R65AL采用行业标准PowerFLAT 5×6 HV紧凑型表面贴装封装。典型应用包括PC适配器、USB壁式充电器和无线充电。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。