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STB120N4LF6

Name: STMicroelectronics STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB120N4LF6
Price: 20.94 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STB120N4LF6

制造商编号：

STB120N4LF6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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数据表:

STB120N4LF6 数据表 (PDF)

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预期 2026/3/16
生产周期：: 26

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¥-.--

总价:

¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥23.6622	¥23.66
	¥15.3002	¥153.00
	¥10.5881	¥1,058.81
	¥9.0174	¥4,508.70
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥7.6953	¥7,695.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	80 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	110 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
商标名:	STripFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	STB120N4LF6
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STB120N4LF6 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET

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