STB120N4LF6

STMicroelectronics
511-STB120N4LF6
STB120N4LF6

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
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寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,500

库存：
1,500 可立即发货
生产周期：
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1500的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥23.2441 ¥23.24
¥15.0516 ¥150.52
¥10.4186 ¥1,041.86
¥8.5202 ¥4,260.10
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥7.9213 ¥7,921.30
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: IT
产品类型: MOSFETs
系列: STB120N4LF6
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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