STB18N60DM2

STMicroelectronics
511-STB18N60DM2
STB18N60DM2

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 514

库存:
514 可立即发货
生产周期:
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于514的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥29.7755 ¥29.78
¥19.436 ¥194.36
¥13.56 ¥1,356.00
¥11.0062 ¥5,503.10
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥9.9214 ¥9,921.40
¥8.9383 ¥17,876.60
¥8.5993 ¥42,996.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 32.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: STB18N60DM2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.5 ns
典型接通延迟时间: 13.5 ns
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

STx24N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复 二极管系列 600V 功率 MOSFET,特别适合 ZVS 相移桥 拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr), 并有低 20% 的 RDS(on) (相比前一代产品)。高 dV/dt 强度(40V/ns),确保更高系统可靠性。
了解更多