STB18NM60ND

Name: STMicroelectronics STB18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NM60ND
Price: 20.79 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STB18NM60ND

制造商编号：

STB18NM60ND

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	13 A
Rds On-漏源导通电阻:	290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	34 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	130 W
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	18 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15.5 ns
系列:	STB18NM60ND
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13 ns
典型接通延迟时间:	55 ns
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STB18NM60ND 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.