STB32N65M5

STMicroelectronics
511-STB32N65M5
STB32N65M5

制造商:

说明:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
14 周 预计工厂生产时间。
最少: 1000   倍数: 1000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥41.1094 ¥41,109.40

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
95 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12 ns
系列: Mdmesh M5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 53 ns
单位重量: 4 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术,并结合了意法半导体著名的 PowerMESH 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻,在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌,使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。
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