STB80N4F6AG

STMicroelectronics
511-STB80N4F6AG
STB80N4F6AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i
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库存量: 856

库存：
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生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于856的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.4304 ¥20.43
¥13.0741 ¥130.74
¥9.0174 ¥901.74
¥7.2659 ¥3,632.95
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥5.8873 ¥5,887.30
¥5.2319 ¥10,463.80
¥5.0511 ¥25,255.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 11.9 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.6 ns
系列: STB80N4F6AG
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 46.1 ns
典型接通延迟时间: 10.5 ns
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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