STD10P6F6

STMicroelectronics
511-STD10P6F6
STD10P6F6

制造商：

说明：
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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库存量: 12,287

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥11.4921 ¥11.49
¥7.1303 ¥71.30
¥4.8025 ¥480.25
¥3.7516 ¥1,875.80
¥3.4126 ¥3,412.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥2.9832 ¥7,458.00
¥2.7798 ¥13,899.00
¥2.5425 ¥63,562.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
10 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
6.4 nC
- 55 C
+ 175 C
35 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
系列: STD10P6F6
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 64 ns
单位重量: 330 mg
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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