STD120N4LF6

STMicroelectronics
511-STD120N4LF6
STD120N4LF6

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
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STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: STD120N4LF6
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 330 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET

STMicroelectronics符合AEC-Q101标准的STripFET功率MOSFET采用ST专有的沟槽式低压技术，实现了非常低的导通损耗。这些功率MOSFET最大限度地降低了电气驱动器的通常能耗，从而提高了效率，使其适用于各种应用。这些器件采用行业标准TO-252和TO-263 SMD封装，RDS(on)范围为3mΩ至12.5mΩ，在大多数低压汽车应用中均具有出色性能。该系列产品包含标准和逻辑电平阈值。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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库存量: 772

库存：
772
可立即发货
在途量:
5,000
预期 2027/9/3
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥24.9843 ¥24.98
¥12.656 ¥126.56
¥11.0853 ¥1,108.53
¥9.0174 ¥4,508.70
¥8.6897 ¥8,689.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥7.7292 ¥19,323.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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