STD12N50DM2

Name: STMicroelectronics STD12N50DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12N50DM2
Price: 18.3 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STD12N50DM2

制造商编号：

STD12N50DM2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

完成您的设计

数据表:

STD12N50DM2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STD12N50DM2详情

库存量: 2,206

库存：: 2,206 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.679	¥20.68
	¥13.3227	¥133.23
	¥9.0965	¥909.65
	¥7.2433	¥3,621.65
	¥6.6557	¥6,655.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.1585	¥15,396.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	11 A
Rds On-漏源导通电阻:	350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	120 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	110 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	9.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	STD12N50DM2
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	12.5 ns
单位重量:	330 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STD12N50DM2 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STx24N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复二极管系列 600V 功率 MOSFET，特别适合 ZVS 相移桥拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr)，并有低 20% 的 R_DS（on）（相比前一代产品）。高 dV/dt 强度（40V/ns），确保更高系统可靠性。
了解更多