STD13NM60ND

STMicroelectronics
511-STD13NM60ND
STD13NM60ND

制造商:

说明:
MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
380 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
109 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15.4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: STD13NM60ND
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.6 ns
典型接通延迟时间: 46.5 ns
单位重量: 330 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

库存量: 4,041

库存:
4,041 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于4041的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥44.5785 ¥44.58
¥21.7525 ¥217.53
¥18.6902 ¥1,869.02
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥18.6902 ¥46,725.50
¥18.2834 ¥91,417.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

类似产品

STMicroelectronics STD13N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package