STD26P3LLH6

STMicroelectronics
511-STD26P3LLH6
STD26P3LLH6

制造商：

说明：
MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
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¥-.--
总价:
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封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥15.5488 ¥15.55
¥9.5937 ¥95.94
¥6.6218 ¥662.18
¥5.4014 ¥2,700.70
¥4.8251 ¥4,825.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥4.181 ¥10,452.50
¥3.729 ¥18,645.00
¥3.5934 ¥35,934.00
¥3.3109 ¥82,772.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
30 V
12 A
30 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: STD26P3LLH6
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 330 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
新加坡
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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