STD3N65M6

STMicroelectronics
511-STD3N65M6
STD3N65M6

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 2,441

库存:
2,441 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥13.8086 ¥13.81
¥8.7688 ¥87.69
¥5.8308 ¥583.08
¥4.7799 ¥2,389.95
¥4.3392 ¥4,339.20
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥3.6838 ¥9,209.50
¥3.5369 ¥17,684.50
¥3.4465 ¥86,162.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
MDmesh
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFETs
系列: Mdmesh M6
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Qg) 和经过优化的电容曲线相结合,设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率,以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项,包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案,可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压,适用于工业应用,包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。