STD7N60DM2

Name: STMicroelectronics STD7N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD7N60DM2
Price: 15.37 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STD7N60DM2

制造商编号：

STD7N60DM2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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数据表:

STD7N60DM2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.25 V
Qg-栅极电荷:	7.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	60 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	22.6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	STD7N60DM2
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	12.6 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	360 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥17.3681	¥17.37
	¥11.0853	¥110.85
	¥7.4241	¥742.41
	¥6.0229	¥3,011.45
	¥5.4014	¥5,401.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.0398	¥12,599.50
	¥4.9268	¥24,634.00
	¥4.7912	¥47,912.00

STD7N60DM2

制造商： STMicroelectronics

说明： MOSFET N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 完成您的设计

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