STDRIVE601

STMicroelectronics
511-STDRIVE601
STDRIVE601

制造商:

说明:
栅极驱动器 Triple half-bridge high-voltage gate driver

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
20 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥61.4607 ¥61.46
¥46.7368 ¥467.37
¥43.505 ¥1,087.63
¥38.2957 ¥3,829.57
¥36.3069 ¥9,076.73
¥27.3799 ¥13,689.95
¥27.1313 ¥18,991.91
¥26.4646 ¥74,100.88
5,600 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
3-Phase / Three Phase
SMD/SMT
SOIC-28
3 Driver
3 Output
200 mA
9 V
20 V
120 ns
50 ns
- 40 C
+ 150 C
STDRIVE601
Tube
商标: STMicroelectronics
开发套件: EVALSTDRIVE601
特点: Integrated Bootstrap Diodes
逻辑类型: CMOS, TTL
最大关闭延迟时间: 120 ns
最大开启延迟时间: 120 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 950 uA
输出电压: 580 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 85 ns
Rds On-漏源导通电阻: 46 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 700
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
找到的产品:
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已选择的属性: 0

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STDRIVE601三半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVE601三半桥栅极驱动器是采用BCD6离线技术的高压器件。该器件是一款带有三个半桥栅极驱动器的单芯片,适用于面向3相应用的N通道功率MOSFET或IGBT。所有器件输出均可实现350mA灌电流和200mA拉电流。该器件通过互锁和死区功能确保防止交叉传导。该器件具有专用输入引脚(用于各输出)和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL,低至3.3V,便于与控制器件连接。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真并支持高频运行。