STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

制造商：

说明：
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥24.8939 ¥24.89
¥18.532 ¥185.32
¥16.9613 ¥424.03
¥15.2211 ¥1,522.11
¥14.3962 ¥3,599.05
¥14.0572 ¥6,888.03
¥13.3227 ¥13,056.25
¥12.9046 ¥37,939.52
¥12.656 ¥68,215.84

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
商标: STMicroelectronics
开发套件: EVLSTDRIVEG611
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 1.02 nA
输出电压: 220 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 60 ns
Rds On-漏源导通电阻: 7 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 490
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STDRIVEG600半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG600半桥栅极驱动器是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓）eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V的电压，适合用于总线电压高达500V的设计。该器件具有大电流能力、短传播延迟以及低至5V的工作电源电压，因此非常适合用于驱动高速GaN和硅FET。 

STDRIVEG211半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG211半桥栅极驱动器设计用于N沟道增强模式GaN，高侧驱动器部分可承受高达220V电压轨。这些驱动器具有大电流能力、短传播延迟和出色的延迟匹配，并集成了低压差稳压器 (LDO)。这使得它们非常适合驱动高速GaN。STDRIVEG211半桥栅极驱动器具有专为硬开关应用设计的电源UVLO、防止交叉导通的互锁功能以及集成SmartSD技术的过流比较器。这些驱动器提供了扩展的输入引脚范围，便于与控制器连接。待机引脚可在非活动期或突发模式下降低功耗。应用包括太阳能微型逆变器、D类音频放大器、电动自行车、LED灯、USB-C、电动工具和机器人。

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